收藏本站
IRFH5406PbF
D.U.T
+
Driver Gate Drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
+
?
-
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
D.U.T. I SD Waveform
V GS =10V *
D.U.T. V DS Waveform
?
?
-
R G
?
?
?
?
- ? +
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
V DD
+
-
Reverse
Recovery
Current
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode Forward
Current
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Body Diode Forward Drop
V DD
Ripple  ≤  5%
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 16. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit for N-Channel
HEXFET ? Power MOSFETs
Vds
I SD
Id
Vgs
L
0
1K
S
DUT
VCC
V gs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
Fig 17. Gate Charge Test Circuit
Fig 18. Gate Charge Waveform
6
www.irf.com ? 2013 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback
December 16, 2013
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFH7921TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFH7923TRPBF MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56
IRFHS9301TR2PBF MOSFET P-CH 30V 6A PQFN
IRFI1310N MOSFET N-CH 100V 24A TO220FP
IRFI520N MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
IRFI530N MOSFET N-CH 100V 12A TO220FP
IRFIZ24E MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
IRFIZ34E MOSFET N-CH 60V 21A TO220FP
相关代理商/技术参数
IRFH6200PBF 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFETPower MOSFET
IRFH6200TR2PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 100A 1.2mOhm 2.5V cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH6200TR2PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:N-CHANNEL MOSFET 20V 100A PQFN-8
IRFH6200TRPBF 功能描述:MOSFET 20V SINGLE N-CH 1.2mOhms 155nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH7004TR2PBF 功能描述:MOSFET N CH 40V 100A PQFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:StrongIRFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFH7004TRPBF 功能描述:MOSFET 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFH7084TRPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, 40V, 100A, 1.25 MOHM, 129 NC QG, PQFN56 - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
IRFH7107TR2PBF 功能描述:MOSFET 75V 75A 8.5mOhm 48nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube